研究内容

 私たちの身の回りでは太陽から降り注ぐ光をはじめとして,蛍光灯,発光ダイオードなどから放射される様々な光が存在し活用されています。これらは空間を伝わる光なので伝搬光と呼ばれています。一方で,空間を伝搬せず物質の表面にのみ存在する近接場(きんせつば)光という光があり,この近接場光は伝搬光に比べて非常に小さな領域に絞ることができるため,従来の光技術では不可能であった高い分解能をもつ医療用の顕微鏡や微細加工に応用されています。

 本研究室ではこの近接場光の応用技術の開発を行っており,現在は受光素子やセンサ素子の研究に取り組んでいます。また,これらの開発を行うための実験装置の構築やナノスケールの空間における光学現象シミュレーションソフトウェアの開発も行っています。まだ基礎研究の段階ですが,将来的には現在の電子集積回路に近接場光を導入した光電子集積回路への応用も考えており,この回路が実現できれば今よりもさらに高速で大容量の情報処理ができるようになるはずです。


1. 表面プラズモンセンサ

研究内容の一部をパネルで掲載しておきます。

チタン接着層を有する金薄膜の表面プラズモン共鳴吸収特性1 チタン接着層を有する金薄膜の表面プラズモン共鳴吸収特性2

2. 表面プラズモン応用デバイス

掲載準備中です。現在は研究業績のみを公開してます。

3. 光学現象シミュレーションソフト

 光電子集積回路に組込むナノフォトニックデバイスの開発には、その構造設計および動作解析を支援するシミュレーションソフトウェアが有効であると考えられます。本研究室では、ナノスケールの空間における光学現象を数値計算する方法として時間領域差分法を採用して、ナノフォトニックデバイスの構造設計・動作解析シミュレーションソフトウェアの開発をおこなっています。
 また、時間領域差分法では時間経過に従って光学現象をシミュレーションするため、例えば下図(光ファイバ内を伝搬する光の様子)のように光導波路内の電磁界強度分布が時間経過によって変化する様子を見ることができます。このことから開発中のソフトウェアは,構造設計・動作解析用としてだけでなく,光学現象の理解に対しても高い教育効果をもつものと期待されます。

光ファイバ内を伝搬する光の様子

主な研究設備

    ・真空蒸着装置
    ・赤外線ランプ加熱炉 (ULVAC MILA-5000)
    ・電気炉
    ・純水製造装置
    ・実体顕微鏡
    ・光学顕微鏡
    ・マイクロ電子天秤 (METTLER TOLEDO UMT2)
    ・分光光度計 (HITACHI U-2010)

    ・信号発生器 (HP HP8657B, 0.1-2060MHz)
    ・RFスペクトラムアナライザ (ANRITSU MS2602A, 100Hz-8.5GHz)
    ・光スペクトラムアナライザ (ANRITSU MS9001B, 600-1750nm)
    ・ロックインアンプ (NF ELECTRONIC INSTRUMENTS 5610B)
    ・オシロスコープ     ・・・多数
    ・デジタルマルチメータ  ・・・多数
    ・直流電源        ・・・多数

研究業績

 以下には豊橋技術科学大学で行った研究に関しても記載しています。

1. 論文

・T. Eko, A. Utsumi, "Evaluation of the Schottky photodiode with the surface plasmon filter ," Optical Review Vol. 26, pp. 442-446 (2019).
・池野孝, 内海淳志, 平地克也, 中川重康, "太陽電池の等価モデルを用いたI-V特性推定型MPPTの提案", 電気学会論文誌 B 138(6) , pp. 514-520 (2018).
・D. Dagnelund, I. P Vorona, L. S. Vlasenko, X. J. Wang, A. Utsumi, Y. Furukawa, A.Wakahara, H. Yonezu, I. A. Buyanova and W. M. Chen, "Evidence for a phosphorus-related interfacialdefect complex at a GaP/GaNP heterojunction," Physical Review B Vol. 81, pp. 115334-1 - 115334-7 (2010).
・福田光男, 松尾あかね, 神野弘明, Islam Farzana, 中山尚之, 大山祥吾, 内海淳志, 田辺隆也, "半導体レーザおよび光ファイバプローブを用いた植物内屈折率の検出と水分量の推定",植物環境工学(J. SHITA),Vol.21(1), pp. 7-14 (2009).
・A. Utsumi and M. Fukuda, "Propagation characteristics of a random-metal dielectric film for an optical near-field generator," Proceedings of SPIE, Vol. 6793, 679307 (2008).
・M. Fukuda, A. Utsumi, H. Funato, M. Tohyama, N. Takemoto, S. Yamamoto, Y. Yamasaki, and T. Tanabe, "Performance of Random Metal-dielectric Film on Optical Signal Transmissions," IEEE Photonic Technol. Lett., 20, pp. 590-592 (2008).
・M. Fukuda, S. Ooyama, A. Utsumi, Y. Kondo(NTT Photonics Lab.), T. Kurosaki(NTT Photonics Lab.) and T. Masuda(OITDA), "Effect of optical feedback noise on tunable diode laser spectroscopy," Applied Physics B, 90, pp. 269-272 (2008).
・D. Dagnelund, I. A. Buyanova, X. J. Wang, W. M. Chen, A. Utsumi, Y. Furukawa, A.Wakahara, H. Yonezu, "Formation of grown-in defects in molecular beam epitaxial Ga(In)NP: effects of growth conditions and post-growth treatments," Journal of Applied Physics Vol. 103, 063519 (2008).
・D. Dagnelund, I. A. Buyanova, W. M. Chen, A. Utsumi, Y. Furukawa, A.Wakahara, H. Yonezu, "Effect of growth conditions on grown-in defect formation and lumineescence efficiency in Ga(In)NP epilayers grown by molecular-beam epitaxy," Physica Status Solidi (c) Vol. 5, No. 2, pp. 460-463 (2008).
・D. Dagnelund, X. J. Wang, I. P. Vorona, I. A. Buyanova, W. M. Chen, A. Utsumi, Y. Furukawa, S. Moon, A. Wakahara and H. Yonezu, "Spin resonance spectroscopy of grown-in defects in Ga(In)NP alloys," Sperlattices and Microstructures Vol. 48, pp. 620-625 (2008).
・M. Fukuda, Y. Yamasaki, N. Oota and A. Utsumi, "Optical Near-Field Generation and Detection By Using a Metal-Dielectric Film Fabricated From Silver Paste and Spherical Fused Silica," IEEE Photon. Technol. Lett.19, pp. 1160-1162 (2007).
・A. Utsumi, Y. Furukawa, H. Yonezu and A. Wakahara, "Difference of N concentrations in GaPN layers simultaneously grown on Si and GaP substrates", Journal of Crystal Growth, Vol. 295, No. 1, pp. 12-15 (2006).
・D. Dagnelund, I. A. Buyanova, T. Mchedlidze, W. M. Chen, A. Utsumi, Y. Furukawa, A. Wakahara and H. Yonezu, "Effect of Nitrogen Ion Bombardment on Defect Formation and Luminescence Efficiency of GaNP Epilayers Grown by Molecular-Beam Epitaxy," Appl. Phys. Lett., Vol. 88, No. 10, pp. 101904-1-101904-3 (2006).
・H. Yonezu, Y. Furukawa, H. Abe, Y. Yoshikawa, S.-Y. Moon, A. Utsumi, Y. Yoshizumi, A. Wakahara, M. Ohtani, "Elemental devices, circuits and processes for a monolithic Si/III-V-N alloy OEIC", Optical Materials, 27, pp. 799-803 (2005).
・M. Izadifard, I. A. Buyanova, J. P. Bergman, W. M. Chen, A. Utsumi, Y. Furukawa, A. Wakahara, H. Yonezu, "Effects of Rapid Thermal Annealing on Optical Properties of GaNxP1-x Alloys Grown by Solid Source Molecular Beam Epitaxy," Semicond. Sci. Technol., Vol. 20, pp. 353-356 (2005).
・A. Utsumi, Y. Furukawa, H. Yonezu, Y. Morita and A. Wakahara, "Improvement of crystalline quality of GaPN layers grown by RF-MBE with ion collector," Physica Status Solidi (a), Vol. 202, No. 5, pp. 758-762 (2005).
・N.Q. Thinh, I. P. Vorona, I. A. Buyanova, W. M. Chen, S. Limpijumnong, S.B. Zhang, Y.G. Hong, H.P. Xin, C.W. Tu, A. Utsumi, Y. Furukawa, S. Moon, A. Wakahara and H. Yonezu, "Properties of Ga-interstitial defects in AlxGa 1-xNyP1-y," Physical Review B Vol. 71, No. 12, 125209 (2005).
・N. Q. Thinh, I. P. Vorona, I. A. Buyanova, W. M. Chen, S. Limpijumnong, S. B. Zhang, Y. G. Hong, C. W. Tu, A. Utsumi, Y. Furukawa, S. Moon, A. Wakahara and H. Yonezu, "Identification of Ga-interstitial defects in GaNyP1-y and AlxGa1-xNyP1-y," Phys. Rev. B, 70, 121201 (2004).
・M. Izadifard, I. P. Bergman, I. Vorona, W. M. Chen, I. A. Buyanova, A. Utsumi, Y. Furukawa, S. Moon, A. Wakahara and H. Yonezu, "Evaluation of optical quality and defect properties of GaNxP1-x alloys lattice-matched to Si," Appl. Phys. Lett., 85, pp. 6347-6349 (2004).
・S. Moon, A. Utsumi, H. Yonezu, Y. Furukawa, T. Ikeda and A. Wakahara, "GaPN-GaP double-heterostructure light emitting diode grown on GaP substrate by solid-source molecular beam epitaxy," Physica Status Solidi (a), 201, pp. 2695-2698 (2004).
・A. Utsumi, H. Yonezu, Y. Furukawa, K. Momose and K. Kuroki, "Increase in luminescence efficiency of GaPN layers by thermal annealing," Physica Status Solidi (c) Vol. 0, No. 7, pp. 2741-2744 (2003).
・K. Momose, H. Yonezu, Y. Furukawa, A. Utsumi, Y. Yoshizumi and S. Shinohara, "Improvement of crystalline quality of GaAsyP1-x-yNx layers with high nitrogen compositions at low-temperature growth by atomic hydrogen irradiation," J. Cryst. Growth, 251, pp. 443-448 (2003).
・K. Momose, H. Yonezu, Y. Fujimoto, K. Ojima, Y. Furukawa, A. Utsumi and K. Aiki, "Hardening effect of GaP1-xNx and GaAs1-xNx alloys by adding nitrogen atoms," Jpn. J. Appl. Phys., Part. 1, 41, pp. 7301-7306 (2002).
・Y. Fujimoto, H. Yonezu, K. Momose, A. Utsumi and Y. Furukawa, "Control of growth process and dislocation generation of GaAs1-xNx growth by all-solid-source molecular beam epitaxy," J. Cryst. Growth, 227/228, pp. 491-495 (2001).
・Y. Fujimoto, H. Yonezu, A. Utsumi, K. Momose and Y. Furukawa, "Dislocation-free GaAsyP1-x-yNx/GaP0.98N0.02 quantum well structure lattice matched to Si substrate," Appl. Phys. Lett., 79, pp. 1306-1308 (2001).

2. 国際会議発表

・M. Kumagai, H. Kyuki, A. Utsumi, "Fabrication of Surface Plasmon Filter using Laser Annealing," Material Research Meeting 2023 and International Union of Materials Research Societies - International Conference in Asia 2023 (MRS2023/IUMRS-ICA2023), G4-P401-34 (2023).
・T. Eko, A. Utsumi, "Evaluation of the Schottky Photodiode with the Surface Plasmon Filter," 11th International Conference on Optics-photonics Design & Fabrication (ODF'18), ODF’18 Technical digest, 28PSa-16 (2018).
・M. Takahiro, K. Hirachi, A. Utsumi, K. Nanamori, J. Itoh, S. Nakagawa, "High-Speed MPPT Method Based on Estimation of I-V Characteristics and Its Application," 3rd International Conference of Science of Technology Innovation 2018 (3rd STI-Gigaku 2018), STI-7-16 (2018).
・M. Takahiro, S. Sakai, K. Iida, Y. Bandoh, K. Hirachi, A. Utsumi, S. Nakagawa, "Study of High-Speed Response in I-V Characteristics Estimation Type of MPPT Method Using PV Module Simulation," 2nd International Conference of Science of Technology Innovation 2017 (2nd STI-Gigaku 2017), STI-7-6 (2017).
・T. Takezawa, Y. Tange, H. Katayama, A. Utsumi and S. Nakagawa, "EDUCATION OF PRACTICAL ENGINEERING SKILLS AIMING FOR SOLVING REAL PROBLEMS RELATED TO LOCAL AREA," The 10th International Symposium on Advances in Technology Education (ISATE 2016), Sendai, Japan, Transactions of ISATE 2016, pp. 524-529 (September 13th-16th, 2016).
・A. Utsumi, M. Fukuda, "Evaluation of a Titanium Dioxide as a Thin Transparent Protective Film," The IUMRS International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2013), Qingdao, China, IUMRS-ICAM 2013 Program and Abstracts Book (Part E) p. 57 E3-P20 (September 22nd-28th, 2013).
・A. Utsumi, N. Shibayama, M. Fukuda, "Development of a Thin Transparent Protective Film for Surface Plasmon Resonance Sensor," The IUMRS International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2012), BEXCO, Busan, Korea, IUMRS-ICA 2012 Abstracts (USB Memory) MoP-211(August 26th-31st, 2012).
・A. Utsumi, S. Kimura, M. Fukuda, "Development of gold-titanium bilayer films for surface plasmon resonance sensors," The IUMRS International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM 2010), Gyeong Gi-Do, Korea, IUMRS-ICEM 2010 TECHNICAL PROGRAM (USB Memory) PI-248 (August 22nd-27th, 2010).
・M. Fukuda, H. Funato, M. Tohyama, N. Takemoto, S. Yamamoto, T. Kodama, R. Sugiura, A. Utsumi, "Optical coherent signal transmission through surface plasmon and optical near field," Opto-Electronics and Communications Conference, 2008 and the 2008 Australian Conference on Optical Fibre Technology, Sydney, USA, Technical Digest WeT-2 (July 7th-10th, 2008).
・M. Fukuda, A.Matsuo, I. Farzana, and A. Utsumi,"Novel optical sensing technique for water content in plants,"International Conference of Agricultural Engineering(AgEng2008), OP-1685, Crete Greece (June, 2008).
・A. Utsumi and M. Fukuda, "Propagation characteristics of a random-metal dielectric film for optical near-field generator," International Workshop and Conference on Photonics and Nanotechnology (ICPN-2007), Pattaya, Thailand, CD-ROM Abstract ICPN-0022 (December 16th-18th, 2007)[invited talk].
・M. Fukuda, A. Utsumi, Y. Yamasaki, H. Funato, N. Takemoto, and N. Oota, "Performance of random-metal dielectric film for signal transmission."Material Research Conference 2007 fall meeting, Boston, CD-ROM Abstracts M2.7. (Nov 26th-29th, 2007).
・A. Utsumi, M. Fukuda and T. Tanabe, "Optical near-field generator and detector fabricated from random-metal dielectric film," International Workshop on Holographic Memories 2007 (IWHM2007), Penang, Malaysia, IWHM 2007 Digests 26p09 (October 26th-28th, 2007).
・M. Fukuda, Y. Yamasaki, A. Oguma, A. Utsumi and N. Oota, "The operating characteristics of an optical near-field generator fabricated on laser diodes," Microtechnologies for the New Millennium 2007, Gran Canaria Spain, Technical Abstract Summary Digest p. 45 (May 2nd-4th, 2007).
・A. Utsumi, Y. Yamasaki, N. Oota H. Matsuo, H. Jinno, K. Tatsuo and M. Fukuda, "Fabrication of an optical near-field generator and detector with a new type of aperture," 5th International Conference on Optics-photonics Design & Fabrication (ODF'06), Nara, Japan, Technical digest 7PS4-22 pp. 251-252 (December 6th-8th, 2006).
・M. Fukuda, Y. Yamasaki, N. Oota, A. Oguma, and A. Utsumi, "The performance of an optical near-field generator and detector fabricated with spherical fused silica and silver paste," IEEE LEOS Annual Meeting, MD5, Montreal Canada, Conference Proceedings pp. 48-49 (October 29-November 2, 2006).
・A. Utsumi, Y. Yamasaki, N. Oota H. Matuo, H. Jinno, K. Tatsuo and M. Fukuda, "An optical near-field generator fabricated on laser diodes", The IUMRS International Conference in Asia 2006 (IU-MRS-ICA2006), Jeju, Korea, Abstract book 3-P-78 p. 53 (September 10th-14th, 2006).
・A. Utsumi, Y. Yamasaki, N. Oota and M. Fukuda, "Fabrication of nanometer-size apertures by using silver pastes including spherical fused silica", International Conference on Electric Engineering 2006 (ICEE2006), YongPyong Resort, Korea, CD-ROM proceedings PS1-ME-01 (July 9th-13th, 2006).
・N. Q. Thinh, I. P. Vorona, I. A. Buyanova, W. M. Chen, Sukit Limpijumnong, S. B. Zhang, Y. G. Hong, H. P. Xin, C. W. Tu, A. Utsumi, Y. Furukawa, S. Moon, A. Wakahara and H. Yonezu, "Important Grown-in Defects in Novel Dilute Nitride (Al,In)GaNP: Ga Interstitials," The 2005 MRS Spring Meeting, San Francisco, USA, Abstract Book, p. 105 (March 28-April 1, 2005).
・S. M. Kim, S. Moon, A. Utsumi, Y. Furukawa, H. Yonezu and A. Wakahara, "Lattice-matching and compositional fluctuation of InGaPN Grown on GaP and Si substrates", 31st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2004), Seoul, Korea, Extended Abstracts, pp. 40-41 (September 12th-16th, 2004).
・A. Utsumi, Y. Furukawa, H. Yonezu, Y. Morita and A. Wakahara, "Improvement of crystalline quality of GaPN layers grown by RF-MBE with ion collector", International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2004), Pittsburgh, Pennsylvania, USA, Abstract Book B6.6 p. 62 (July 19th-23rd, 2004).
・H. Yonezu, Y. Furukawa, H. Abe, Y. Yoshikawa, S. Moon, A. Utsumi, Y. Yoshizumi and M. Ohtani, "Elementary devices, circuits and processes for a monolithic Si/III-V-N OEIC", European Material Research Society Spring Meeting, A1-IV. 2, Strasbourg, France (May 24th-28th, 2004).
・M. Izadifard, I. A. Buyanova, P. Bergman, I. Vorona, W. M. Chen, A. Utsumi, H. Yonezu, Y. Furukawa, K. Momose and K. Kuroki, "Effects of Rapid Thermal Annealing on Optical Quality of GaNP Alloys," The EMRS-2004 Spring Meeting, Strasbourg, France, IEE Proceedings Optoelectronics, Vol. 151, p. 335 (May 24-28, 2004).
・S. Moon, A. Utsumi, H. Yonezu, Y. Furukawa and T. Ikeda, "GaPN/GaP double heterostructure light emitting diode grown on GaP substrate by solid-source molecular beam epitaxy", The 5th International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (ISBLLED-5), Gyeongju, Korea, Abstract Book Pa33, p. 262 (March 15th-19th, 2004).
・Y. Furukawa, H. Yonezu, A. Utsumi, K. Momose, S. Shinohara and Y. Yoshizumi, "Effect of thermal annealing on optical property of GaPN alloy", The 15th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-15) 724, Keystone, USA, Abstract Book, p. 91 (July 20th-24th, 2003).
・A. Utsumi, H. Yonezu, Y. Furukawa, K. Momose and K. Kuroki, "Increase in luminescence efficiency of GaPN layers by thermal annealing", 5th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5), Nara, Japan, Abstract Book Th-P3.065 p. 483 (May 25th-30th, 2003).
・K. Momose, H. Yonezu, Y. Furukawa, A. Utsumi and S. Shinohara, "Improvement of crystalline quality of GaAsyP1-x-yNx layers with high nitrogen compositions at low-temperature growth by atomic hydrogen irradiation", 12th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-XII), San Francisco, USA, ThA2.5, Abstracts book p. 297 (September 15th-20th, 2002).
・Y. Furukawa, H. Yonezu, A. Utsumi and K. Momose, "Growth and Photoluminescence Property of GaPN Lattice-Matched to Si Substrate," Int. Conf. on Electrical Engineering, Jeju Island, KOREA, Proceedings of ICEE2002, Vol. 3, pp. 1295-1298 (July 7-11, 2002).
・K. Momose, H. Yonezu, Y. Fujimoto, A. Utsumi, Y. Motomura and Y. Furukawa, "Anisotropic strain relaxation process and increase in critical thickness of GaP1-xNx/GaP and GaAs1-xNx/GaAs", 13th International Conference on Crystal Growth / 11th International Conference of Vapor Growth and Epitaxy (ICCG-13/ICVGE-11), Kyoto, Japan, 04a-SB3-02, Abstracts p. 527 (July 30th-August 4th, 2001).
・H. Yonezu, Y. Fujimoto, K. Momose, Y. Furukawa, and A. Utsumi, "Dislocation-Free GaAsPN/GaPN Quantum Well Structure Lattice-Matched to Si Substrate", International Narrow Gap Nitride Workshop (INGNW-01), Singapore, Meeting Program & Abstract Book p.18 (Oct. 7-11, 2001).
・H. Yonezu, Y. Fujimoto, K. Momose, Y. Furukawa, A. Utsumi and K. Samonji, "Epitaxial growth of dislocation-free device structures composed of III-V-N compounds and Si on Si substrates", The 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4), Denver, Colorado, USA, Abstracts Book Late News Poster (July 16th-20th, 2001).
・Y. Fujimoto, H. Yonezu, A. Utsumi, K. Momose and Y. Furukawa, "A dislocation-free GaAsyP1-x-yNy/GaP0.98N0.02 quantum well structure lattice-matched to Si substrate", 43rd Electronic Materials Conference (EMC) N10, Univ. of Notre Dame, Indiana, USA, Technical Program with Abstracts p. 28 (June 27th-29th, 2001).

3. 研究会発表

・A. Utsumi, Y. Yamasaki, N, Oota and M. Fukuda, "Fabrication of nanometer-sized apertures by using silver paste including spherical fused silica," 2006 Korea-Japan Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments, Nara, Japan, November 15th-17th, 2006. Proceedings, pp. 173-175.
・M. Fukuda, Y. Yamasaki, N. Oota, A. Oguma and A. Utsumi, "The Performance of an Optical Near-Field Generator and Detector Fabricated with Spherical Fused Silica and Silver Paste," 2006 Korea-Japan Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments, Nara, Japan, November 15th-17th, 2006. Proceedings, pp. 173-175.
・A. Utsumi, Y. Furukawa, H. Yonezu, Y. Morita and A. Wakahara, "Removal effect of nitrogen ions on crystalline quality of GaPN layers grown by RF-MBE with ion collector", 23rd Electronic Materials Symposium (EMS-23), Izu-Nagaoka, July 7th - 9th, 2004, Extended Abstracts of the 23rd Electronic Materials Symposium, G11, pp. 191-192.
・Y. Morita, Y. Furukawa, Y. Yoshizumi, A. Utsumi, H. Yonezu and A. Wakahara, "Electrical properties of Te-doped GaPN layers", 23rd Electronic Materials Symposium (EMS-23), Izu-Nagaoka, July 7th - 9th, 2004, Extended Abstract of the 23rd Electronic Materials Symposium G12, pp. 193-194.
・S. M. Kim, A. Utsumi, Y. Furukawa, H. Yonezu and A. Wakahara, "Growth and Optical Properties of InGaPN lattice-matched to GaP grown by SS-MBE", 23rd Electronic Materials Symposium (EMS-23), Izu-Nagaoka, July 7th - 9th, 2004, Extended Abstract of the 23rd Electronic Materials Symposium G14, pp. 197-198.
・Y. Furukawa, H. Yonezu, A. Utsumi, K. Momose and A. Wakahara, "Improvement in Luminescence Properties of GaPN Alloys by Thermal Annealing," 2003 Korea-Japan Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments, Gangneung, Korea, Aug. 21-24, 2003. Proceedings, pp. 137-140.
・Y. Yoshizumi, Y. Furukawa, S. Shinohara, H. Yonezu, Y. Morita, A. Utsumi and K. Momose, "Effect of thermal annealing on deep-level traps in GaPN alloys", 22nd Electronic Materials Symposium (EMS-22), Laforet Biwako, Moriyama, Shiga, July 2nd - 4th, 2003, Extended Abstract of the 22nd Electronic Materials Symposium E5, pp. 117-118.
・A. Utsumi, H. Yonezu, Y. Furukawa, K. Momose and T. Ikeda, "Effect of thermal annealing on luminescence properties of GaPN/GaP DH LED", 22nd Electronic Materials Symposium (EMS-22), Laforet Biwako, Moriyama, Shiga, July 2nd - 4th, 2003, Extended Abstracts of 22nd Electronic Materials Symposium, F21, pp. 205-206.
・善積, 百瀬, 内海, 古川, 米津, "高窒素組成GaAsPNおよびInGaPNの低温成長と原子状水素照射による結晶性の向上", 豊橋技術科学大学, 2003年5月15-16日 信学技報, ED2003-27, pp. 59-64, 2003.
・A. Utsumi, H. Yonezu, Y. Furukawa, K. Momose and K. Kuroki, "Increase in luminescence efficiency of GaP1-xNx alloys by thermal annealing" 21st Electronic Materials Symposium (EMS-21), Hotel Fujimi Haitsu, Izu-Nagaoka, Shizuoka, June 19th - 21st, 2002, Extended Abstracts of 21st Electronic Materials Symposium, I9, pp. 243-244.
・K. Momose, H. Yonezu, Y. Furukawa, A. Utsumi and S. Shinohara, "Improvement of crystalline quality of GaAsyP1-x-yNx layers with high nitrogen compositions at low-temperature growth by atomic hydrogen irradiation", 21st Electronic Material Symposium (EMS-21), Izu-nagaoka, Shiga, June 19th - 21st, 2002. Abstract Book I8, p. 241.
・A. Utsumi, Y. Fujimoto, H. Yonezu, K. Momose and Y. Furukawa, "A dislocation-free GaAsyP1-x-yNx/GaP0.98N0.02 quantum well structure lattice-matched to Si substrate", 20th Electronic Materials Symposium (EMS-20), Nara, Japan, June 20th - 22nd, 2001, Extended Abstracts of 20th Electronic Materials Symposium, K4, pp. 229-230.

4. 国内学会発表

・熊谷 昌城, 久木 弘成, 内海 淳志, "レーザアニール法による金微粒子の作製" ,電気学会電子材料研究会, グランフロント大阪 ナレッジキャピタルおよびWeb, 2023年11月22日〜11月23日, EFM-23-022.
・熊谷 昌城, 久木 弘成, 内海 淳志, "レーザアニール法によるシリコン基板上金薄膜の微粒子化の検討" ,第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホール, 2023年9月19日〜9月23日, 予稿集 22p-P04-20.
・熊谷昌城, 田邊雅翔, 久木弘成, 内海淳志, "レーザアニール法を用いた表面プラズモンフィルタの試作" ,第70回応用物理学会春季学術講演会, ハイブリッド開催, 2023年3月15日〜3月18日, 予稿集 15p-PB06-2.
・内田竣也, 熊谷昌城, 内海淳志, "液体金属を用いたショットキーバリヤダイオードの改良" ,第69回応用物理学会春季学術講演会, ハイブリッド開催, 2022年3月22日〜3月26日, 予稿集 26a-P02-8.
・小林大輝, 七森公碩, 中川重康, 内海淳志, "SiCモジュールを用いた高周波電流測定手法の検討" ,第3ブロック専攻科研究フォーラム, オンライン開催, 2022年2月25日.
・松井祐樹, 内海淳志, "室内環境を把握するためのIoTシステムの開発" ,第3ブロック専攻科研究フォーラム, オンライン開催, 2022年2月25日.
・内田竣也, 熊谷昌城, 内海淳志, "液体金属,金,アルミニウムを各ショットキー電極とするダイオードの電気的特性の比較" ,第82回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン開催, 2021年9月21日〜9月23日, 予稿集 21a-P02-7.
・萩原隆仁, 内田竣也, 内海淳志, "ガリウム合金を用いたショットキーバリヤダイオードの開発" ,第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 2021年3月16日〜3月19日, 予稿集 19a-P03-8.
・内田 竣也, 萩原隆仁, 内海淳志, "液体金属を用いたショットキーバリヤダイオード作製実験の実施", 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 2021年3月16日〜3月19日, 予稿集 19a-P03-9.
・萩原隆仁, 足立幹夫, 内海淳志, "液体金属を用いたショットキーバリヤダイオードの開発", 第67回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス, 東京都千代田区, 2020年3月12日〜3月15日, 予稿集 14a-PA1-30.
・萩原隆仁, 内海淳志, "ショットキーバリヤダイオード作製実験の改良",第80回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 札幌市, 2019年9月18日〜9月21日, 予稿集 21a-PA1-6.
・江湖俊仁, 萩原隆仁, 内海淳志, "表面プラズモンフィルタを付加したショットキーフォトダイオードにおける光電流の電極膜厚依存性", 第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区, 2019年3月9日〜3月12日, 予稿集 11p-PB1-4.
・笠岡奎冶, 内海淳志, "学生実験用シリコン太陽電池のフィンガー電極の検討", 第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区, 2019年3月9日〜3月12日, 予稿集 11p-PA7-23.
・江湖俊仁, 内海淳志, "ショットキーダイオード教材における並列抵抗の検討",第79回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, 名古屋市, 2018年9月18日〜9月21日, 予稿集 19a-PA1-16.
・水口公陽, 江湖俊仁, 内海淳志, "学生実験用シリコン太陽電池教材の改良", 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場, 東京都新宿区, 2018年3月17日〜3月20日, 予稿集 18a-P1-34.
・江湖俊仁, 池山拓斗, 内海淳志, "表面プラズモンフィルタを付加したショットキー型フォトダイオードの評価", 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場, 東京都新宿区, 2018年3月17日〜3月20日, 予稿集 18p-P9-19.
・松平 颯, 江湖俊仁, 池山拓斗, 内海淳志, "ショットキー型フォトダイオードの金属電極膜厚の検討", 第23回高専シンポジウムin神戸, 神戸市立高専, 兵庫県神戸市, 2018年1月27日, 講演要旨集 PI-36.
・水口公陽, 江湖俊仁, 内海淳志, "シリコン太陽電池教材の改良", 第23回高専シンポジウムin神戸, 神戸市立高専, 兵庫県神戸市, 2018年1月27日, 講演要旨集 PI-37.
・江湖俊仁, 内海淳志, "半導体教育のためのショットキーバリヤダイオード作製実験の実施", 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場, 福岡市, 2017年9月5日〜9月8日, 予稿集 6a-PA1-15.
・池野 孝, 中川重康, 内海淳志, 平地克也, "PVモデルを用いたMPPTの高速化の検討", 平成29年電気学会全国大会, 富山大学 五福キャンパス, 富山市, 2017年3月15日〜3月17日, プログラム, 講演論文集 Vol. 7, p. 25.
・江湖俊仁, 森 涼太, 内海淳志, "ショットキーバリヤダイオード教材の改良", 第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 神奈川県横浜市, 2017年3月14日〜3月17日, 予稿集 16a-P1-29.
・江湖俊仁, 内海淳志, "チタン-アルミニウム電極を使用したショットキーバリヤダイオードの作製", 平成28年度電気学会関西支部高専卒業研究発表会,中央電気倶楽部,大阪市,2017年3月4日, 講演論文集 pp. 35-36.
・江湖俊仁, 森 涼太, 内海淳志, "チタン-アルミニウム電極を使用したショットキーバリヤダイオードの検討", 第22回高専シンポジウムin三重, 鳥羽商船高専, 三重県鳥羽市, 2017年1月28日, 講演要旨集 P-241.
・安藤直也, 池山拓斗, 内海淳志, "微粒子光学フィルタの透過特性の評価", 第22回高専シンポジウムin三重, 鳥羽商船高専, 三重県鳥羽市, 2017年1月28日, 講演要旨集 P-242.
・森 涼太, 江湖俊仁, 内海淳志, "学生実験のためのショットキー型太陽電池の基礎的検討", 第22回高専シンポジウムin三重, 鳥羽商船高専, 三重県鳥羽市, 2017年1月28日, 講演要旨集 P-243.
・江湖俊仁, 森 涼太, 内海淳志, "n型シリコン基板を用いた学生実験用ショットキーバリヤダイオードの検討", 日本高専学会第22回年会講演会, 沼津工業高等専門学校, 沼津市, 2016年8月27日〜8月28日, 講演論文集 pp. 155−156.
・藤田智常, 多田彬史, 内海淳志, "シリコン太陽電池教材の開発", 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区, 2016年3月19日〜3月22日, 予稿集 21a-P2-13.
・多田彬史, 藤田智常, 内海淳志, "学生実験用ショットキーバリヤダイオードの試作", 第21回高専シンポジウムin香川, 丸亀市民会館・丸亀市生涯学習センター, 香川県丸亀市, 2016年1月23日, 講演要旨集 Pb-008.
・内海淳志, 古林達哉, 芦澤恵太, 中川重康, "地域連携におけるLEDイルミネーション事業の実施", 日本高専学会第21回年会講演会, 徳山工業高等専門学校, 周南市, 2015年8月29日〜8月30日, 講演論文集 pp. 217−218.
・藤田智常, 多田彬史, 内海淳志, "再生可能エネルギー教育のための太陽電池教材の検討", 日本高専学会第21回年会講演会, 徳山工業高等専門学校, 周南市, 2015年8月29日〜8月30日, 講演論文集 pp. 143−144.
・内海淳志, 大橋力也, 永谷隆典, 片山英昭, 中川重康, "放射線計測のためのスマートセンサネットワークの開発", 日本高専学会第20回年会講演会, 函館市国際水産・海洋総合研究センター, 函館市, 2014年8月30日〜8月31日, 講演論文集 pp. 147−148.
・丸岡千哉, 芦田陸, 内海淳志, "直接書き換え可能な電光表示器の試作", 日本高専学会第20回年会講演会, 函館市国際水産・海洋総合研究センター, 函館市, 2014年8月30日〜8月31日, 講演論文集 pp. 149−150.
・山下燿平, 内海淳志, "電気泳動法を用いた微粒子配列制御", 平成24年度電気学会関西支部高専卒業研究発表会,中央電気倶楽部,大阪市,2013年3月2日, 講演論文集 pp. 41-42.
・寺尾知也, 内海淳志, "紫外線LEDを用いたエコ看板の作製", 日本高専学会第18回年会講演会, 近畿大学工業高等専門学校, 名張市, 2012年8月25日〜8月26日, 講演論文集 pp. 115−116.
・森 友也, 内海淳志, "熱酸化法による酸化チタン薄膜の作製", 日本高専学会第18回年会講演会, 近畿大学工業高等専門学校, 名張市, 2012年8月25日〜8月26日, 講演論文集 pp. 117−118.
・山口太雅, 内海淳志, "PSoCを用いた小型紫外線測定器の作製", 日本高専学会第18回年会講演会, 近畿大学工業高等専門学校, 名張市, 2012年8月25日〜8月26日, 講演論文集 pp. 111−112.
・山下燿平, 内海淳志, "表面プラズモンアンテナ製作のための微細加工プロセスの検討", 日本高専学会第18回年会講演会, 近畿大学工業高等専門学校, 名張市, 2012年8月25日〜8月26日, 講演論文集 pp. 113−114.
・柴山直也, 山内圭, 内海淳志, "表面プラズモンセンサのための酸化チタン薄膜の作製条件の検討", 第17回高専シンポジウムin熊本, 崇城大学市民ホール・熊本市国際交流会館, 熊本市, 2012年1月28日, 講演要旨集 p. 399.
・山内圭, 柴山直也, 内海淳志, "表面プラズモン共鳴吸収測定装置の開発", 第17回高専シンポジウムin熊本, 崇城大学市民ホール・熊本市国際交流会館, 熊本市, 2012年1月28日, 講演要旨集 p. 400.
・河原大地, 内海淳志, " QCM法による蒸着膜厚モニタの開発", 平成22年度電気学会関西支部高専卒業研究発表会講演論文集 pp. 41-42,中央電気倶楽部,大阪市,2011年3月5日.
・木村成紀, 内海淳志, "表面プラズモンセンサのための金-チタン複合膜の作製条件の検討", 日本光学会年次学術講演会(Optics & Photonics Japan 2009), 朱鷺メッセ:新潟コンベンションセンター, 新潟市, 2009年11月24日〜11月26日, ポスター講演24pP10, 講演論文集 pp. 144-145.
・木村成紀, 内海淳志, 福田光男, "チタン接着層を有する金薄膜の表面プラズモン共鳴吸収特性", 日本高専学会第15回年会講演会, 豊橋技術科学大学, 豊橋市, 2009年8月28日〜8月30日, 講演論文集 pp. 245-246.
・船戸宏也, 竹本直弘, 小玉豊久, 杉浦遼平, 遠山 誠, 山本章太, 内海淳志, 福田光男, "表面プラズモンと近接場光を介した信号伝達の検討", (2008年秋季)第69回応用物理学会学術講演会, 中部大学, 春日井市, 2008年9月2日〜9月5日,予稿集 2p-V-3.
・大山祥吾,中山尚之,Islam Farzana(東京大),内海淳志(舞鶴高専),田辺隆也(茨城高専),福田光男(豊橋技術科学大), "光ファイバを用いた植物内部の屈折率の検出と水分量の推定", 日本生物環境工学会2008年, 愛媛大学, 松山市, 2008年9月7日〜11日, プログラム・発表概要P44.
・竹本直弘, 船戸宏也, 杉浦遼平, 小玉豊久, 山本章太, 遠山誠, 内海淳志(舞鶴高専), 福田光男,"金属−誘電体混合膜による近接場光の発生と信号伝達",電子情報通信学会,レーザ・量子エレクトロニクス研究会,福井大学,福井市,2008年5月23日,vol. 108, No.51, LQE2008-7.
・大山祥吾, 内海淳志, 福田光男, 近藤康洋(NTTフォトニクス研究所), 増田岳夫((財)光産業技術振興協会), "レーザダイオードを用いたガス吸収スペクトル測定における反射戻り光の影響" 2007年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 鳥取大学鳥取キャンパス, 鳥取市, 2007月9月10日〜14日, エレクトロニクス講演論文集1 c-3-48, p. 171.
・内海, 山ア, 太田, 福田, "シリカ微小球を含む金属膜の光伝搬特性" (2007年秋季) 第68回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学, 札幌市, 2007年9月4日〜8日,予稿集 7p-Q-5, p. 1039.
・山ア裕介, 太田倫裕, 内海淳志, 福田光男, "半導体レーザを用いた近接場光発生素子の動作特性", (2007年秋季) 第68回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学, 札幌市, 2007年9月4日〜8日, 講演予稿集 7a-Q-8, p. 1037.
・松尾あかね, 内海淳志, 田辺隆也(茨城高専),福田光男, "光ファイバによる葉菜類の状態センシング", 日本生物環境工学会2007年創立記念大会, リーガロイヤルホテル堺, 堺市, 2007年6月25日〜27日, プログラム・発表概要 P21, pp. 288-289.
・神野弘明, 松尾あかね, 田辺隆也(茨城工専), 内海淳志, 福田光男, "光ファイバによる植物の状態センシング", 農業環境工学関連学会2006年合同大会, 北海道大学札幌キャンパス, 札幌市, 2006年9月11日〜15日, プログラム・発表概要, P1367, p. 96.
・山崎裕介, 太田倫裕, 内海淳志, 福田光男, "近接場光発光素子の微小開口の作製", (2006年秋季)第67回応用物理学会学術講演会, 立命館大学, 草津市, 2006年8月29日〜9月1日, 予稿集 30a-T-1, p. 935.
・太田倫裕, 山崎裕介, 内海淳志, 福田光男, "近接場光検出素子の作製", (2006年秋季)第67回応用物理学会学術講演会, 立命館大学, 草津市, 2006年8月29日〜9月1日,予稿集 30a-T-2, p. 935.
・梅野和行, 内海淳志, 古川雄三, 米津宏雄, 若原昭浩, 伊藤國雄, "SiおよびGaP上のP系III-V-N混晶における歪の効果", (2006年秋季)第67回応用物理学会学術講演会, 立命館大学, 草津市, 2006年8月29日〜9月1日, 予稿集 29p-B-6, p. 291.
・森田, 内海, 佐藤, 古川, 米津, 若原, "n-GaPNにおけるイオン化不純物散乱," (2005年春季) 第52回応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学, 世田谷区, 3月22日〜26日, 予稿集 31p-ZM-11, p. 368.
・池田, 吉田, 内海, 文, 古川, 若原, 米津, "微細化されたGaPN LEDの発光特性の評価," (2005年春季) 第52回応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学, 世田谷区, 3月22日〜26日,予稿集 31p-ZM-12, p. 368.
・吉川, 森崎, 石地, 金, 内海, 大谷, 古川, 若原, 米津, "Si/GaPN OEICの実現に向けたMOSダイオードによるSiキャップ層の評価," (2005年春季) 第52回応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学, 世田谷区, 3月22日〜26日, 予稿集 31p-ZM-17, p. 370.
・内海, 佐藤, 古川, 米津, 若原 "Si基板とGaP基板に成長したGaPNの結晶性の比較", (2004年秋季)第65回応用物理学関係連合講演会, 東北学院大学, 仙台市, 2004年9月1日〜4日, 予稿集 1a-P1-15, p. 254.
・森田, 内海, 佐藤, 古川, 米津, 若原, "成長温度に対するTeドープGaPNの電気的特性の変化", (2004年秋季)第65回応用物理学関係連合講演会, 東北学院大学, 仙台市, 2004年9月1日〜4日, 予稿集 1a-P1-14, p. 253.
・内海, 森田, 善積, 古川, 米津, "イオンコレクタによるRF-MBE GaPNの高品質化", (2004年春季)第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 八王子市, 2004年3月28日〜31日, 予稿集 30p-YG-17, p. 354.
・文, 池田, 内海, 古川, 米津, "GaPN-GaP Double heterostructure light emitting diode grown on GaP substrate by solid-source molecular beam epitaxy", (2004年春季)第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 八王子市, 2004年3月28日〜31日, 予稿集 30a-YG-18, p. 354.
・S. M. KIM, A. Utsumi, Y. Furukawa, H. Yonezu, "Growth and optical properties of InGaPN lattice-matched to GaP grown by SS-MBE", (2004年春季)第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 八王子市, 2004年3月28日〜31日, 予稿集 30a-YG-16, p. 353.
・善積, 佐藤, 森田, 内海, 古川, 米津, "Teドープn-GaPNの電気的特性", (2004年春季)第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 八王子市, 2004年3月28日〜31日, 予稿集 30p-YG-20, p. 355.
・安部, 吉川, 石地, 内海, 文, 善積, 大谷, 古川, 米津, "ワンチップSi/GaPN OEICの基本構造とプロセス技術", (2004年春季)第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 八王子市, 2004年3月28日〜31日, 予稿集 30p-YG-21, p. 355.
・内海, 黒木, 篠原, 百瀬, 善積, 古川, 米津, "GaPN/GaP LEDの発光特性に与える熱処理の効果", (2003年春季)第50回応用物理学関係連合講演会, 神奈川大学, 横浜市, 2003年3月27日〜30日, 予稿集 30a-YA-10, p. 377.
・篠原, 善積, 森田, 内海, 百瀬, 古川, 米津, "GaP1-xNx混晶における深い準位の熱処理効果", (2003年春季)第50回応用物理学関係連合講演会, 神奈川大学, 横浜市, 2003年3月27日〜30日, 予稿集 30a-YA-11, p. 377.
・内海, 黒木, 百瀬, 篠原, 古川, 米津, "Siに格子整合したGaP1-xNxの熱処理による発光特性の改善" (2002年秋季)第63回応用物理学関係連合講演会, 新潟大学 五十嵐キャンパス, 2002年9月24日〜27日, 予稿集 24a-YD-10, p. 276.
・百瀬, 善積, 内海, 篠原, 古川, 米津, "原子状水素照射下の低温成長による高窒素組成InyGa1-yP1-xNx層の高品質化", (2002年秋季)第63回応用物理学関係連合講演会, 新潟大学 五十嵐キャンパス, 2002年9月24日〜27日, 予稿集 24a-YD-9, p. 275.
・文, 黒木, 内海, 百瀬, 古川, 米津, "Si基板と格子不整合率の小さいGaAsP/InGaP量子井戸構造の発光ダイオード", (2002年秋季)第63回応用物理学関係連合講演会, 新潟大学 五十嵐キャンパス, 2002年9月24日〜27日, 予稿集 26a-YD-13, p. 295.
・内海, 黒木, 百瀬, 篠原, 古川, 米津, "GaP1-xNxの発光特性の熱処理による改善", (2002年春季)第49回応用物理学関係連合講演会, 東海大学 平塚市, 2002年3月27日〜30日, 予稿集 28p-ZQ-15, p. 333.
・百瀬, 内海, 元村, 篠原, 古川, 米津, "高窒素組成比GaAsyP1-x-yNx層の原子状水素照射低温成長による結晶性の改善", (2002年春季)第49回応用物理学関係連合講演会, 東海大学, 2002年3月27日〜30日, 予稿集 28p-ZQ-16, p. 333.
・内海, 百瀬, 篠原, 古川, 米津, "Siに格子整合したGaP1-xNxの発光特性", (2001年秋季)第62回応用物理学関係連合講演会, 愛知工業大学, 2001年9月11日〜14日, 予稿集 13p-T-14, p. 240.
・藤本, 内海, 百瀬, 古川, 米津, "Siに格子整合した無転位GaAsyP1-x-yNx/GaP0.98N0.02 量子井戸構造の形成", (2001年春季)第48回応用物理学関係連合講演会, 明治大学, 2001年3月27日〜30日, 予稿集 31a-G-11, p. 362.
・百瀬, 藤本, 内海, 元村, 古川, 米津, "GaP1-xNx/GaPおよびGaAs1-xNx/GaAsにおける歪み緩和過程", (2001年春季)第48回応用物理学関係連合講演会, 明治大学, 2001年3月27日〜30日, 予稿集 31a-G-8, p. 361.

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